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三星在美国建半导体工厂

来源:新浪VR三星在美国建半导体工厂插图

11月20日,据韩媒消息,三星将在美国德州奥斯汀新建采用极紫外光(EUV)技术的半导体工厂,项目总投资规模约100亿美元。三星以及相关行业人士近日透露,三星电子将在德州奥斯汀建立晶圆厂,并使用EUV光刻机台,生产非记忆体半导体与系统LSI产品,投资规模预估100亿美元,月产能约7万片。

韩国半导体在全球半导体产业链当中占据重要的地位。在IC Insights所公布的2020年上半年(1H20)全球十大半导体销售排名中,韩国厂商就占了两个名额,分别是排名第二的三星和排名第四的SK海力士。

目前,三星启动了一个“半导体2030计划”,希望在2030年之前投资133万亿韩元,约合1160亿美元成为全球最大的半导体公司,其中先进逻辑工艺是重点之一,目标就是要追赶上台积电。在最近的几代工艺上,三星的量产进度都落后于台积电,包括10nm、7nm及5nm,不过5nm算是缩短了差距,今年也量产了,此前也获得了高通、NVIDIA、IBM等客户的8nm、7nm订单。

但三星追赶台积电的关键是在下一代的3nm上,因为这一代工艺上三星押注了GAA环绕栅极晶体管,是全球第一家导入GAA工艺以取代FinFET工艺的,而台积电比较保守,3nm还是用FinFET,2nm上才会使用GAA工艺。

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